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晶体方位测量设备

简要描述:晶体方位测量设备用途单晶硅/晶圆的结晶方位测量,支持Si、蓝宝石、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC等化合物。侧角机构可以高精度地测定单结晶锭和晶片的结晶方位、外观和外形。

  • 产品型号:SU-021
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2024-02-20
  • 访  问  量:265
详情介绍

晶体方位测量设备的特点:

1.实现角度测量的高精度化
根据独自的测角系统,实现高再现性和线性。
2.长期稳定性能
机构部具有很高的刚性和耐久性,能够长期维持稳定的性能。
3.采用X射线档案峰值检测功能
根据统计处理技术,采用X射线档案峰值检测方式,可获得高精度稳定的角度测量性能。
4.高速、高精度测量
不仅有4方位测量功能,还有2方位测量功能,测量时间只需要4方位测量的1/2。(不包括SU-001)
方位测量是用球面几何学精确求解结晶方位的X,Y倾斜度。为此以和4方位测定相同的精度求出。
5.X射线剂量测定系统
X射线量测定系统通过脉冲海分析仪降低散射等误差原因,筛选出Cu的特性X射线,可进行高精度的测定。
6.采用高灵敏度检测器(可支持偏移角大的结晶)
检测器对应检测的X射线(Cu的K α)具有灵敏度。另外,由于是气体检测器,所以对X射线的入射位置和方向的检测灵敏度的变动很小,对于结晶面的倾斜角的变化可以进行稳定的测量。


晶体方位测量设备的参数:

型式対象測定項目用途
SU-001インゴットVノッチ(オリフラ面)方位Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。

?測定精度:±5′
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-002インゴットカット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。

 ?測定精度:±30″
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-003ウェハVノッチ(オリフラ面)方位カット面方位(軸方位)?ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。

?測定精度:±30″(カット面)
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-005インゴットVノッチ(オリフラ面)方位、外観、形状、重量Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形状?深さ?結晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削残、直径、重量を測定します。

測定精度:±5′
SU-021インゴットVノッチ(オリフラ面)方位カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。(側面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869号)

?測定精度:±5′(カット面) ±3′(Vノッチ方位)









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